FM18L08-70-S
特点
256K位的非易失性铁电RAM
组织为32,768 ×8位
45年的数据保存
无限的读/写周期
无需等待的写入™
先进的高可靠性铁电工艺
优越于电池供电的SRAM
没有电池忧虑
整体可靠性
真正的表面安装解决方案，没有返工步骤
优越的防潮，防震，振动
抗负电压下冲
SRAM & EEPROM兼容
JEDEC 32Kx8 SRAM & EEPROM的引脚
70 ns访问时间
140 ns的周期时间
低功耗工作
3.0V至3.65V工作
15毫安工作电流
15µA
待机电流
行业标准配置
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
32引脚“绿色”的TSOP封装
28引脚SOIC或DIP封装
“绿色”包装选项
描述
该FM18L08是256千比特的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或FRAM是
非易失性和读取和写入像RAM 。它
提供了数据保留45年，同时消除
的可靠性问题，功能和缺点
系统设计的电池备份SRAM的复杂性
（ BBSRAM ） 。快写时序和高写入
耐力化妆FRAM优于其它类型的
非易失性存储器。
在系统的FM18L08的操作非常相似到其它基于RAM的设备。读周期和写周期时间相等。在FRAM存储器，但是，是非易失性的，由于其独特的强电介质存储器流程。不像BBSRAM ，所述FM18L08是一个真正的单片非易失性存储器。它提供了相同的一个快速的写入没有功能性利益与模块和电池相关的缺点或者混合存储解决方案。这些功能使得FM18L08理想需要频繁的非易失性存储器应用或快速写入一字节的环境。该表面贴装封装的可用性提高制造性的新的设计，而将DIP包装方便简洁的设计改造。设备规格保证在温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
概观
该FM18L08是一个单字节宽， FRAM存储器。该
存储阵列在逻辑上组织为32,768 ×8
并使用行业标准的并行访问
界面。写入部分的所有数据立即
非易失性的，没有延迟。的功能操作
FRAM存储器的相同的SRAM型器件，
除了FM18L08需要的/ CE的下降沿到
启动每个存储周期。
该FM18L08驱动数据总线时， / OE是
置为低电平状态。如果/ OE是后置
存储器访问时间已经被满足时，数据总线
将驱动有效数据。如果/ OE之前断言
到的存储器访问结束后，将数据总线将
当有效数据可用来驱动。此功能
通过消除最大限度地减少电源电流的系统
造成无效数据瞬变驱动到
总线。当/ OE是不活动的数据总线将
保持三态的。
写操作
写入操作需要同时读取。该
FM18L08支持/ CE-和/ WE控制
写周期。在所有情况下，地址被锁存的
坠落/ CE的优势。
在/ CE的控制的写入时，/ WE信号被断言
开始前的存储周期。即， / WE为
当低/ CE下降。在这种情况下，该装置开始
存储器周期作为写入。该FM18L08不会
驱动/ OE状态的数据总线不管。
在/ WE控制写入，存储周期开始
在/ CE的下降沿。后/ WE信号下降
/ CE的下降沿。因此，存储器周期
开始是读。数据总线将被驱动
按/ OE ，直到状态/ WE下降。该
无论/ CE-和/ WE控制的写周期的时序
中示出的电气规格。
写访问数组后，异步开始
存储器周期开始。写访问
终止于/ WE或/ CE的上升沿，
以先到为准。数据建立时间，如图所示，在
电气规格，表示在区间
该数据之前写入的末端不能改变
访问。
不同于其他真正的非易失性存储器技术，
没有写延迟FRAM 。由于读
写底层的内存访问时间
同样，用户遇到通过没有延迟
总线。整个存储器操作发生在一个单一的
总线周期。因此，任何操作包括读或
可以写下面写立即发生。数据
投票站，与EEPROM与使用的技术
确定一个写操作完成，是不必要的。
预充电操作
预充电操作是一个内部条件
其中，所述存储器的状态准备一个新的
访问。所有的存储周期包括一个内存
访问和预充电。预充电的用户
通过取/ CE信号高或不活动引发。它
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内存操作
用户访问每8 32,768内存位置
通过并行接口的数据位。周期时间
是相同的读取和写入存储器的操作。
这简化了存储器控制器逻辑和定时
电路。同样的存取时间是相同的读
写内存操作。当/ CE为
去断言高时，预充电操作的开始，并且是
每个存储周期的要求。因此不像SRAM ，
访问时间和周期时间是不相等的。写操作发生
紧接在没有延迟的访问结束。
不象一个EEPROM ，它是没有必要的轮询
设备的就绪状态，因为写操作发生在公交车
速度。
注意， FM18L08包含有限量的低
电压的写保护电路。这将防止
访问时， V
DD
比指定的要低得多
工作范围。它仍然是用户的责任
确保V
DD
是数据表的公差范围内
防止不正确的操作。
该FM18L08被设计的方式来操作
类似于其他的单字节宽的内存产品。对于用户
熟悉SRAM ，性能足以媲美
但单字节宽接口工作在一个稍微
如下面描述的不同的方式。对于用户
熟悉EEPROM ，很明显的差异
从FRAM中的较高的写入性能产生
技术，包括无延迟写入和
无限的读写次数。
读操作
读操作开始/ CE的下降沿。
此时，在地址位锁存和一
存储器周期开始。一旦开始，全
存储周期必须在内部完成
无论/ CE的状态。数据变为可用
访问时间后在总线上已被满足。
在地址被锁存，地址值
在满足保持时间可以改变
参数。与SRAM ，改变地址值
会对之后的存储器操作没有影响
地址被锁存。
