制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: NXP / Freescale
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 68 V
技术: Si
增益: 18 dB at 960 MHz
输出功率: 10 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270-2 Gull
封装: Reel
最小工作温度: - 65 C
工作频率: 1.5 GHz
Pd-功率耗散: 61.4 W
系列: MW6S010N
工厂包装数量: 500
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.3 V
单位重量: 548 mg
