深圳市英特法电子科技有限公司代理IR：IRFB4227PBF。数据列表IRFB4227PbF
产品相片TO-220AB PKG
产品培训模块High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源IRFB4227PBF Saber Model
IRFB4227PBF Spice Model
PCN 组件/产地Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 封装Package Drawing Update 19/Aug/2015
标准包装 50类别分立半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®包装 管件FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）65A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）24 毫欧 @ 46A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）98nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）4600pF @ 25V功率 - 最大值330W工作温度-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220AB 联系方式：0755-8328771 手机：13410252328 QQ:2298601314/1653386404欧阳R
