制造商: Cree, Inc.
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 5.3 A
Vds-漏源极击穿电压: 1.7 kV
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohm
晶体管极性: N-Channel
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.1 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-7
封装: Tube
商标: Cree, Inc.
通道模式: Enhancement
下降时间: 40.4 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 4.8 ns
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 10.8 ns
典型接通延迟时间: 4 ns 联系人电话 18320841243 QQ2873141355
