制造商: GaN Systems
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 30 A
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Qg-栅极电荷: 6.5 nC
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: GaN Systems
通道模式: Enhancement
GS66508P-E05-TY
2016-12-16 11:01:00
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本公司专营：ON TI NXP MAXIM ALTERA XILINX ADI MICRON 现代 保证原装进口假一罚十 联系人：李先生 18320841243
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