GS66508P-E05-TY

制造商: GaN Systems

产品种类: MOSFET

RoHS: 符合RoHS 详细信息

Id-连续漏极电流: 30 A

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms

晶体管极性: N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 6.5 nC

安装风格: SMD/SMT

封装: Tray

商标: GaN Systems

通道模式: Enhancement