制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
增益: 11 dB
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
输出功率: 450 W
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: Cree, Inc.
最小工作温度: - 40 C
工作频率: 5900 MHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
