简介：
场效应管 MOSFET N D-PAK 200V 5A
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 5A
漏源电压, Vds: 200V
在电阻RDS（上）: 600mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压 Vgs: 4V
功耗 Pd: 43W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
晶体管封装类型: TO-252
针脚数: 3
MSL: MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
SMD标号: IRFR220N
封装类型, 其它: D-PAK
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
漏极电流, Id 最大值: 5A
热阻, 结点至外壳A: 3.5°C/W
电压, Vds 典型值: 200V
电压, Vgs 最高: 4V
电流, Idm 脉冲: 20A
表面安装器件: SMD
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