概述该AO4611采用先进的沟槽技术MOSFET,以提供优秀的研发DS ( ON)低栅极电荷。
互补MOSFET的可能可用于形成一个电平移位的高侧开关,和许多其它的应用程序。
标准产品AO4611是无铅的(符合ROHS &索尼259规格) 。
AO4611L是绿色产品订购选项。
AO4611和AO4611L是电相同。
特点N沟道VDS(V) = 60VID= 6.3A
(VGS=10V)RDS ( ON)< 25MΩ
(VGS=10V)30mΩ到< (VGS=4.5V)P沟道-
60V-4.9A(VGS= -10V)RDS
( ON)< 42mΩ (VGS=-10V)< 52mΩ (VGS=-4.5V)
深圳市亚泰盈科电子有限公司 陈泽腾
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