制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Toshiba
Id-连续漏极电流: 18 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Pd-功率耗散: 50 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
Ciss-输入电容: 2600 pF
工厂包装数量: 50
特价供应：TK18A50D 深圳市中杰盛科技有限公司
2017-8-17 10:20:00
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MOSFET N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
供应商
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深圳市中杰盛科技有限公司
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