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MMBT2222ALT1G参数

产品种类： 两极晶体管 - BJT 配置： Single 晶体管极性： NPN 集电极—基极电压 VCBO： 75 V 集电极—发射极最大电压 VCEO： 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V 集电极—射极饱和电压： 1 V 最大直流电集电极电流： 0.6 A 增益带宽产品fT： 300 MHz (Min) 最大工作温度： + 150 C 安装风格： SMD/SMT 封装 / 箱体： SOT-23-3 商标： ON Semiconductor 集电极连续电流： 0.6 A 直流集电极/Base Gain hfe Min： 100 最大功率耗散： 225 W 最小工作温度： - 55 C 封装： Reel 工厂包装数量： 3000

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