深圳市亚泰盈科电子，陈生
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设计为引导操作浮动通道充分运作，以+ 500V或600V +耐负瞬态电压的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10～ 20V
欠压锁定两个通道
独立的逻辑电源电压范围为5～ 20V逻辑和电源接地± 5V偏
CMOS施密特触发与下拉输入
逐周期边沿触发关断逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出产品
IR2113的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立高，低侧参考输出通道。
亲专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构。
逻辑IN-看跌期权与标准CMOS或LSTTL兼容输出。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动跨导。
传播延迟匹配为了简化在高频应用中使用。
该浮动通道可以用来驱动一个N沟道在高端的配置的功率MOSFET或IGBT化其工作频率高达500或600伏
