型号：IPB80P03P3L-04
制造商：Infineon
厂家：INFINEON [Infineon Technologies AG]
描述：OptiMOS㈢ Power-Transistor
数据列表：IPB,IPP80N08S2L-07
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.8 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：233nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：5400pF @ 25V
功率 - 最大：300W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：PG-TO263-3
包装：带卷 (TR)
其它名称：SP000219051
标准包装：1,000
封装：TO-263
数量：15680
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营MOSFET/场效应管，公司授权分销Infineon系列，全新原装，原厂直接订货，货期短，品质保证，公司现货库存供应IPB80P03P3L-04，正品原装，大量原装库存，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
IPB80P03P3L-04特点：
P沟道产品概述VDSRDS （ ON）最大。 SMD版IDP- TO262 -3-1P- TO263 -3-2-304-80P- TO220 -3-1VmΩA
•增强型
•逻辑电平
•汽车AEC Q101标准
•绿色包装（无铅）
•MSL1高达260 ℃的峰值回流焊温度
•175 ° C工作温度•额定雪崩
•dv / dt的额定
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