HAT2116H-EL-E主要参数：
分立半导体产品
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.2 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1650pF @ 10V
功率 - 最大值：15W
封装：SOT-669
原装进口★现货正品★ 厂商授权中国区分销商
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