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IRS2111STRPBF SOP-8 全新原装晶体管 IRS2111S 高压电桥驱动器

2025-8-5 11:04:00
  • 深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列场效应管,授权分销,大量原装库存,现货热卖IRS2111 IRS2111STRPBF,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

型号: IRS2111STRPBF

品牌:IR

类别:集成电路 (IC)

家庭:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关

系列:-

配置:半桥

输入类型:反相和非反相

延迟时间:750ns

电流 - 峰:290mA

配置数:1

输出数:2

高端电压 - 最大(自引导启动):600V

电源电压:10 V ~ 20 V

工作温度:-40°C ~ 125°C

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商设备封装:8-SOIC

包装:带卷 (TR)

其它名称:IRS2111STRPBFTR

标准包装:2,500

封装:SOP-8

数量:98600

单价:面议

描述:IRS2111是高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有依赖性高,低侧参考输出穿上专为半桥应用渠道。所有权HVIC和锁存免疫CMOS技术使加固单片式结构。逻辑输入与标准兼容CMOS输出。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最小驱动器跨导。在 -提供ternal死区时间,以避免直通输出半桥。浮置沟道,可用于驱动一个N在高侧配置沟道功率MOSFET或IGBT它的工作频率高达600 V。

备注:深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列场效应管,授权分销,大量原装库存,现货热卖IRS2111 IRS2111STRPBF,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

特点:

•设计为引导操作浮动通道

•充分运作,以+600 V

•耐负瞬态电压的dV / dt免疫的

•栅极驱动电压范围为10 V至20 V

•欠压锁定两个通道

•CMOS施密特触发与下拉输入

•匹配的传播延迟为两个通道

•内部设置死区时间

•高侧输出的同相输入

IRS2111PBF

IRS2111STRPBF

IRS2112STRPBF

IRS2113STRPBF

IRS2153STRPBF

IRS2181PBF

IRS2181STRPBF

IRS2304STRPBF

IRS2308PBF

IRSF3011LTRPBF

IRU1010-18CSTRPBF

IRU1010-25CSTRPBF

IRU1010-33CSTRPBF

IRU1010CSTRPBF

IRU1117-18CSTRPBF

IRU1117-25CSTRPBF

IRU1117-33CSTRPBF

IRU1117CSTRPBF

IRU1150CSTRPBF

IRU1205-33CLTRP

IRU1207-18CSTRPBF

IRU1207-25CSTRPBF

IRU1208CSTRPBF

IRU1209CSTRPBF

IRU1239SC

IRU3004CWTRPBF

IRU3021MCWTR

IRU3033CSTRPBF

IRU3034CSTRPBF

IRU3037ACSTRPBF

IRU3037CSTRPBF

IRU3038CSTRPBF

IRU3048CSTRPBF

IRU3065CLTRPBF

IRU3137CSTRPBF

IRU3138CSTRPBF

深圳市勤思达科技有限公司

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