RSR010N10 MOSFET晶体管. 目录. 参数. 数据表 (PDF)
制造商零件编号: RSR010N10
种类: MOSFET
沟道类型: N
最大耗散功率 (Pd): 1
漏源电压 (Uds): 100
栅源电压 (Ugs): 20
最大漏极电流 (Id): 1
最大工作温度 (Tj), °C: 150
导通上升时间 (tr): 9nS
输出电容 (Cd), pF: 20
静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 0.37
封装形式: TSMT3
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