制造商: Fairchild Semiconductor

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 符合RoHS 详细信息

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2 V

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

在25 C的连续集电极电流: 50 A

栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA

功率耗散: 312 W

最大工作温度: + 150 C

封装 / 箱体: TO-3P-3

封装: Tube

商标: Fairchild Semiconductor

集电极最大连续电流 Ic: 50 A

最小工作温度: - 55 C

安装风格: Through Hole

系列: FGA25N120ANTDTU

工厂包装数量: 30

单位重量: 6.401 g