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供应射频功率MOSFET MRF8S18120HSR3 原装原厂订货

2023-2-23 15:30:00
  • MRF8S18120HR3和MRF8S18120HSR3专为1805至1880 MHz频率范围的GSM和GSM EDGE基站应用而设计。可用于AB类和C类的所有典型蜂窝基站调制格式。

特性

典型GSM性能:VDD = 28 V,IDQ = 800 mA,连续波输出功率 = 72 W

频率 Gps

(dB) ηD

(%)

1805 MHz 18.2 49.8

1840 MHz 18.6 51.4

1880 MHz 18.7 53.9

在32 Vdc,1840 MHz,150 W连续波输出功率(3 dB过驱额定输出功率)时,能承受7:1 VSWR

1 dB压缩点时,典型连续波输出功率 ≃ 120 W

典型GSM EDGE性能:VDD = 28 V,IDQ = 800 mA,平均输出功率 = 46 W

频率 Gps

(dB) ηD

(%) SR1

@ 400 kHz

(dBc) SR2

@ 600 kHz

(dBc) EVM

(% rms)

1805 MHz 17.9 41.0 –64 –76 1.6

1840 MHz 18.2 41.9 –63 –76 1.7

1880 MHz 18.3 43.2 –61 –76 2.0

提供串联等效大信号阻抗参数和共源S参数

内部匹配,简便易用

集成的ESD保护

增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行

为Doherty应用进行了优化

符合RoHS规范

采用盘卷包装。R3后缀 = 250个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘。

MRF8S18120HSR3.jpg

原厂原装订货库存,假一赔十!!!

联系电话:0755-83466125/83505153 李先生