STP100N10F7DeepGATE™ 低压 MOSFET 确立了导通电阻等级标准，增强了电信、服务器、工业和汽车应用的能效和可靠性。
STripFET ™ VII DeepGate™ 额定电压为 80 V 和 100 V，采用增强沟槽式栅极结构，设定了导通电阻值记录。 STP310N10F7 和 STH310N10F7-2 分别采用 TO-220 和 H2PAK 2 封装引线，在分立式功率元件市场中实现了业内最低的导通电阻。 STripFET™ VII DeepGATE ™ 系列通过在通孔安装和表面贴装封装中提供低导通电阻方式实现了较低的功耗和更高的功率密度，减少了并联器件数，降低了切换损耗，具有出色 EMI 特性，并且提供强大的芯片级 PowerFLAT 封装。
栅极结构的高功率设计降低了并联器件数，简化了栅极结构。 此外，因改进了品质因数和采用恢复二极管，这项技术还适用于高频切换应用，以及在 DC-DC 转换器、桥式转换器、ATX 电源和逆变器中用作同步整流。
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STH140N8F7-2
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