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STGW60H65FB

2021-8-5 17:01:00
  • STGW60H65FB绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比高频率设备,关断能耗降低了 40%,同时传导损耗也降低了 30%。 HB 系列采用 ST 先进的沟槽式栅极场截止高速技术,具有最小的集电极关断尾电流,且饱和电压(Vce(sat)) 低至 1.6 V(典型值),因此最大程度地降低了切换和打开时的能量损失。 此外,这种技术非常受控,参数分布窗口紧

STGW60H65FB绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比高频率设备,关断能耗降低了 40%,同时传导损耗也降低了 30%。 HB 系列采用 ST 先进的沟槽式栅极场截止高速技术,具有最小的集电极关断尾电流,且饱和电压(Vce(sat)) 低至 1.6 V(典型值),因此最大程度地降低了切换和打开时的能量损失。 此外,这种技术非常受控,参数分布窗口紧密、增强了可重复性、简化了系统设计。

ST 的 HB 系列 IGBT 提升了太阳能逆变器、感应加热器、焊机、不间断电源、功率因数校正以及其他高频功率转换器的能效。 650 V 的扩展电压额定值可确保在低至 -40°C 的环境温度中具有至少 600 V 击穿电压,因而使得这些器件非常适用于在寒冷地区销售的太阳能逆变器。 最高工作结温为 175°C 和宽安全工作区 (SOA) 提高了可靠性,允许使用更小的散热器。 产品选择包括 30 A 至 80 A (100°C 时)的最大额定电流范围、最受欢迎的功率封装,以及针对谐振式或硬开关电路进行了优化的共封装二极管。

系列型号:

STGW40H65FB

STGW60H65FB

STGWT40H65DFB

STGWT40H65FB

STGWT60H65DFB

STGWT60H65FB

STGWT80H65DFB

STGW40H65DFB

STGW60H65DFB

STGW80H65DFB

STGW30H65FB

STGWT30H65FB

STGY80H65DFB

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