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英文描述：HEXFET Power MOSFET
中文描述：HEXFET功率MOSFET
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技术规格：标准包装:50;类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单路 系列:HEXFET®;FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物;FET 特点:逻辑电平门;开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 9A, 10V;漏极至源极电压(Vdss):100V;电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:17A;Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs:37nC @
