SST25VF020-20-4I-SAE产品特点：
•单2.7-3.6V读写操作
•串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
• 20 MHz的最大时钟频率
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗：
- 读操作工作电流：7 mA（典型值）
- 待机电流： 8 μA （典型值）
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
•快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 部门或块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
•自动地址递增（ AAI ）编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
•检测写操作结束的
- 软件状态
•保持引脚（ HOLD ＃ ）
- 暂停串行序列的记忆
不取消选择器件
•写保护（ WP ＃ ）
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
=温度范围
- 商业： 0 ° C至+ 70°C
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -20 ° C至+ 85°C
•封装
- 8引脚SOIC封装150万体宽
为SST25VF020
- 8引脚SOIC封装200万体宽
为SST25VF040
- 8触点WSON （ 5× 6毫米）
产品说明
SST的串行闪存系列具有一个四线SPI-的COM
兼容的接口，允许低引脚数封装
占用更少的电路板空间，并最终降低总
系统的成本。 SST25VF020 / 040的SPI串行闪存memo-
里斯与SST专有的，高perfor-制造
曼斯CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。
该SST25VF020 / 040设备显著改善per-
formance ，同时降低功耗。总
消耗的能量是所施加电压的函数，电流
租金和应用时间。因为对于任何给定的电压
范围， SuperFlash技术，以更小的电流
程序，并具有擦除时间更短，总能量
在任何擦除消耗或编程操作较少
比其他闪存技术。该
SST25VF020 / 040器件具有单个2.7-3.6V工作
电源。
该SST25VF020器件采用8引脚SOIC
150万的车身宽度（ SA ）封装。该SST25VF040
器件采用8引脚SOIC封装200万体宽
（S2A ）封装。所有密度提供在8接触
WSON封装。参见图1的引脚分配。
