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IR原装场效应管 IRF3205PBF,N通道,55V/110A TO-220封装,大量现货热卖 IRF3205PBF

2025-8-7 11:04:00
  • 型号: IRF3205PBF 准包装:50 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单 系列:HEXFET® FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 62A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

型号: IRF3205PBF

准包装:50

类别:分离式半导体产品

家庭:FET - 单

系列:HEXFET®

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

漏极至源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 62A,10V

Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs:146nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds:3247pF @ 25V

功率 - 最大:200W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商设备封装:TO-220AB

包装:管件

其它名称:*IRF3205PBF

品牌:IR

类别:分离式半导体产品

家庭:FET - 单

系列:HEXFET®

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

漏极至源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:110A

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 62A,10V

Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs:146nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds:3247pF @ 25V

功率 - 最大:200W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商设备封装:TO-220AB

包装:管件

其它名称:*IRF3205PBF

标准包装:50

数量:10000

单价:面议

备注:深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列原装正品,公司常备大量的现货库存,厂家直销,品质保证,现货热卖 IRF3205PBF,全新原装进口,绝对正品,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

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