CHT-74逻辑系列高温度，高可靠性的应用进行了优化。它带来的数字功能，高温电子系统设计目标，到+225°C. CHT-74系列组成的四2输入与非门，六反相器，一个四2输入或一个四2输入，四2输入NOR，双D型触发器与集复位，四2输入异或，四2输入与非施密特触发器和一个12位异步计数器。CHT-74家庭是可在CDIL14和CSOIC16。， 数据也可下载
北京中航泰瑞技术有限公司供应CISSIOD高温器件，进口原装，质量保证，假一罚十，欢迎咨询洽谈。肖小姐：
电话：010-62669839 传真：010-62669766 QQ：2880175955，2880175958
CHT-7400-CDIL14-T 四2输入与非门
CHT-7400-CSOIC16-T
CHT-7404-CDIL14-T 六反相器
CHT-7404-CSOIC16-T
CHT-7408-CDIL14-T 四2输入与
CHT-7408-CSOIC16-T
CHT-74021-CDIL14-T 四2输入NOR
CHT-74021-CSOIC16-T
CHT-7432-CDIL14-T 四2输入或
CHT-7432-CSOIC16-T
CHT-7474-CDIL14-T 双D型触发器
CHT-7474-CSOIC16-T
CHT-7486-CDIL14-T 四2输入异或
CHT-7486-CSOIC16-T
CHT-74132-CDIL14-T 四NAND施密特触发器
CHT-74132-CSOIC16-T
CHT-744040A CDIL16-T 12级的异步二进制计数器
CHT-744040A CSOIC16-T
CMT-74逻辑系列高温度，高可靠性的应用进行了优化。它带来了数字功能，针对高温电子系统设计高达175°C。CMT-74系列组成的四2输入与非门，六反相器，一个四2输入或一个四2输入，四2输入NOR，双D型触发器与集并复位，并且在塑料SOIC封装的四2输入异或。
CMT-74逻辑系列高温度，高可靠性的应用进行了优化。它带来了数字功能，针对高温电子系统设计高达175°C。CMT-74系列组成的四2输入与非门，六反相器，一个四2输入或一个四2输入，四2输入NOR，双D型触发器与集并复位，并且在塑料SOIC封装的四2输入异或。
CMT-7400-PSOIC16-T 四2输入与非门
CMT-7404-PSOIC16-T 六反相器
CMT-7408-PSOIC16-T 四2输入与
CMT-74021-PSOIC16-T 四2输入NOR
CMT-7432-PSOIC16-T 四2输入或
CMT-7474-PSOIC16-T 双D型触发器
CMT-7486-PSOIC16-T 四2输入异或
CMT-74132-PSOIC16-T 四NAND施密特触发器
CHT-OPA是一个通用的的四运算放大器的应用的温度范围从-55℃到225°C.
主要特点是：
增益：87分贝@ 225°C
增益带宽积为1.8MHz
电源：4.5V至20V
功耗（放大器）：2.2毫安人@ 225°C
最大输出电流：15mA @ 25°C
典型偏移：为2.5mV
CHT-OPA CDIL14-T 四运算放大器
CHT-OPA-CSOIC16-T
CMT-OPA是一个通用的四通道运算放大器的应用温度范围从-55℃到175℃，
主要特点是：
增益：95分贝@ 175°C
增益带宽积：1.5MHz的
电源：4.5V至20V
功耗（放大器）：2MA @ 175°C
最大输出电流：15mA @ 25°C
典型偏移：为2.5mV
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CMT-OPA-PSOIC16-T 四运算放大器
高温通用的三运算放大器，内置电压基准为完整的电桥激励的传感器接口和仪表放大器的应用。
（-55°C至225°C）
主要特点是：
配置为通过外部电阻的仪表放大器
增益带宽积：1.3MHz（典型值）
电源：6?20V
功耗（每个放大器）：600μA@ 225°C
最大输出电流：15mA @ 25°C
电压参考：
能力：25mA最大
初始精度：+ / -2％
在整个温度范围内的稳定性：<500μV/°C
CHT-GEM9813B CSOIC16-T RUBY：组合三运算放大器与电压参考
高温N-通道功率MOSFET 80V
温度范围：-55°C至+225°C
漏极电压高达80V
最大漏极电流@ 225°C：5A（8005），9A（8010）
罗恩@ 25°C：0.48Ω（8005）和0.24Ω（8010）
VGS = 0V至+5 V
CHT-NMOS8005也可作为裸模
CHT-NMOS8005-TO254-T NMOS 80V
CHT-NMOS8010-TO254-T
高温电源的40V N沟道MOSFET
温度范围：-55°C至+225°C
漏极电压高达40V
最大漏极电流@ 225°C：3.9A，7.6A（4010），（4005）14A（4020）
（4005）RON =0.4Ω，0.2Ω（4010），0.12Ω（4020）@ 25°C
VGS =-0.5V至+5.5 V
CHT-NMOS4005也可作为裸模
CHT-NMOS4005-TO254-T NMOS 40V，3.9A
CHT-NMOS4010-TO254-T NMOS 40V，7.6A
CHT-NMOS4020-TO254-T NMOS 40V，14A
高温的P-沟道功率MOSFET 30V
温度范围：-55°C至+225°C
漏极电压高达30V
最大漏极电流@ 225°C：2A（3002）（3004），4A，8A（3008）
RON =3.9Ω（3002），2Ω（304），1Ω（3008）@ 225°C
VGS = 0V至5V
CHT-PMOS3002也可作为裸模
CHT-PMOS3002-TO254-T MOSFET P-通道
CHT-PMOS3004-TO254-T
CHT-PMOS3008-TO254-T
高温小信号MOSFET N沟道80V
温度范围：-55°C至+225°C
漏极电压高达80V
最大300毫安漏电流@ 225°C
VGS = 0V至+5 V
输入电容：23pF
闸极漏电流：0.4μA@ 225°C
TO18，TO39金属包装或裸模
CHT-SNMOS80-TO39-T 小信号NMOS 80V
CHT-SNMOS80-TO18-T 小信号NMOS 80V
高温小信号MOSFET P沟道30V
温度范围：-55°C至+225°C
漏极电压到30V
最大310毫安漏电流@ 225°C
VGS = 0V至5V
输入电容：14pF
闸极漏电流：0.4μA@ 225°C
TO18，TO39金属包装或裸模
CHT-SPMOS30-TO39-T 小信号PMOS 30V
CHT-SPMOS30-TO18-T 小信号PMOS 30V
高温双N-通道MOSFET 40V
温度范围：-55°C至+225°C
漏极电压高达40V
最大漏极电流@ 225°C：2A
罗恩= 0.4欧姆（每个晶体管）
VGS = 0V至+5 V
陶瓷SOIC16封装
CHT-PLA2016A-CSOIC16-T 双N沟道
高温高压碳化硅（SiC）的开关
温度范围：-55°C至+225°C
漏极电压高达450V
最大漏极电流@ 225°C：3A
导通电阻=0.7Ω@ 25°C和1.25Ω@ 225°C
VGS = 0V至+5 V
金属TO254封装
CHT-PLA4119A-TO254-T 碳化硅（SiC）高压开关
高温系列小信号二极管
温度范围：-55°C至+225°C
最大反向电压：80V
最大正向电流@ 225°C电流：300mA
电容：值为8.5pF
反向漏电流：8.9μA@ 225°C
TO18金属包装
CHT-PLA5598C-TO18-T 双系列小信号二极管
高温双共阳极，小信号二极管
温度范围：-55°C至+225°C
最大反向电压：80V
最大正向电流@ 225°C电流：300mA
电容：值为8.5pF
反向漏电流：8.9μA@ 225°C
TO18金属包装
Product Name Ordering Temperature range: Description
Timer IC CHT-555-CDIL8-T -55°C to +225°C (operational up to 250°C) pin-to-pin 555 compatible
Timer IC CMT-555-PSOIC8-T -55°C to +175°C pin-to-pin 555 compatible
High Temperature Logic CHT-7400-CDIL14-T -55°C to +225°C quad 2-input NAND
High Temperature Logic CHT-7400-CSOIC16-T -55°C to +225°C quad 2-input NAND
High Temperature Logic CHT-7404-CDIL14-T -55°C to +225°C hex inverter
High Temperature Logic CHT-7404-CSOIC16-T -55°C to +225°C hex inverter
High Temperature Logic CHT-7408-CDIL14-T -55°C to +225°C quad 2-input AND
High Temperature Logic CHT-7408-CSOIC16-T -55°C to +225°C quad 2-input AND
High Temperature Logic CHT-74021-CDIL14-T -55°C to +225°C quad 2-input NOR
High Temperature Logic CHT-74021-CSOIC16-T -55°C to +225°C quad 2-input NOR
High Temperature Logic CHT-7432-CDIL14-T -55°C to +225°C quad 2-input OR
High Temperature Logic CHT-7432-CSOIC16-T -55°C to +225°C quad 2-input OR
High Temperature Logic CHT-7474-CDIL14-T -55°C to +225°C Dual D-type flip-flop
High Temperature Logic CHT-7474-CSOIC16-T -55°C to +225°C Dual D-type flip-flop
High Temperature Logic CHT-7486-CDIL14-T -55°C to +225°C quad 2-input XOR
High Temperature Logic CHT-7486-CSOIC16-T -55°C to +225°C quad 2-input XOR
High Temperature Logic CHT-74132-CDIL14-T -55°C to +225°C quad NAND Schmitt Trigger
High Temperature Logic CHT-74132-CSOIC16-T -55°C to +225°C quad NAND Schmitt Trigger
High Temperature Logic CHT-744040A-CDIL16-T -55°C to +225°C 12-stage asynchronous binary counter
High Temperature Logic CHT-744040A-CSOIC16-T -55°C to +225°C 12-stage asynchronous binary counter
Clock Generator IC CHT-CG50-CDIL24-T -55°C to +225°C Versatile High-Temperature Clock Generator IC - CDIL24
Clock Generator IC CHT-PUL9560A-TDFP16-T -55°C to +225°C Versatile High-Temperature Clock Generator (with built-in 1 to :512 divider) IC – TDFP16
Timer IC CHT-555-CDIL8-T -55°C to +225°C pin-to-pin 555 compatible
Timer IC CMT-555-PSOIC8-T -55°C to +175°C pin-to-pin 555 compatible
Dedicated Power Supply IC(100mA) CHT-STA5602C-TDFP16-T -55°C to +225°C Alternative voltage source for bridge excitation in sensor circuitry
Dedicated Power Supply IC (500mA) CHT-STA4853B-TDFP16-T -55°C to +225°C Alternative voltage source for bridge excitation in sensor circuitry
High Speed Comparator IC CHT-RIV1675A-TDFP16-T -55°C to +225°C High Temperature High-Speed, Rail-to-Rail Comparator
Programmable Comparator IC CHT-PTC8-CSOIC16-T -55°C to +225°C 8 bits Programmable Comparator
Isolated Transceiver IC for Galvanic Isolation CHT-TIT4750G-CSOIC28-T -55°C to +225°C High-temperature Dual-Channel Isolated Transceiver
EVK-RHEA EVK-TIT6443 -55°C to +225°C Evaluation Kit : 4 channels, 2MBps Isolated Data link
Quad Op Amp ICs suitable for low precision needs CHT-OPA-CDIL14-T -55°C to +225°C quad Operational Amplifier
Quad Op Amp ICs suitable for low precision needs CHT-OPA-CSOIC16-T -55°C to +225°C quad Operational Amplifier
Quad Op Amp ICs suitable for low precision needs CMT-OPA-PSOIC16-T -55°C to +175°C quad Operational Amplifier
Triple Op Amp ICs suitable for low precision needs CHT-GEM9813B-CSOIC16-T -55°C to 225°C RUBY: Combo Triple OpAmp & Voltage Reference
Alternative Op Amp IC for high precision needs CHT-GEM6489A-TDFP16-T -55°C to 225°C OPAL: Dual , Ultra High Precision Operational Amplifier
Ultra-Low power Analog-to-Digital converter (ADC) CHT-ADC10-CDIL28-T -55°C to 225°C ADC 10 bits
High Temperature Logic CMT-7400-PSOIC16-T -55°C to 175°C quad 2-input NAND
High Temperature Logic CMT-7404-PSOIC16-T -55°C to 175°C hex inverter
High Temperature Logic CMT-7408-PSOIC16-T -55°C to 175°C quad 2-input AND
High Temperature Logic CMT-74021-PSOIC16-T -55°C to 175°C quad 2-input NOR
High Temperature Logic CMT-7432-PSOIC16-T -55°C to 175°C quad 2-input OR
High Temperature Logic CMT-7474-PSOIC16-T -55°C to 175°C Dual D-type flip-flop
High Temperature Logic CMT-7486-PSOIC16-T -55°C to 175°C quad 2-input XOR
High Temperature Logic CMT-74132-PSOIC16-T -55°C to 175°C quad NAND Schmitt Trigger
High Side and Low Side driver CHT-HYPERION-CDIL28-T -55°C to +225°C High Side and Low Side driver
High Side and Low Side driver CHT-HYPERION-CSOIC28-T -55°C to +225°C High Side and Low Side driver
Alternative power driver IC (single channel) for higher current needs (up to 4A) CHT-TIT3345E-CSOIC28-T -55°C to +225°C Dual Channel Power Transistor Driver
Alternative power driver IC (single channel) for higher current needs (up to 4A) CHT-TIT9570C-CSOIC28-T -55°C to +225°C Gate driver controller for power switch
Alternative power driver IC (single channel) for higher current needs (up to 4A) EVK-TIT9036A -55°C to +225°C Power Transistor Driver Evaluation Kit
Full Bridge Driver IC / 50V max CHT-PALLAS-CDIL40-T -55°C to +225°C Full Bridge Driver
FUJI DC-DC Converter Reference Design EVK-VOL1088A -55°C to +225°C Triple output DCM Flyback 3.5W DC-DC Converter
FUJI DC-DC Converter Reference Design EVK-VOL1088B -55°C to +225°C Triple output DCM Flyback 3.5W DC-DC Converter with regulated 3.3 / 1.8 output
PWM controller CHT-MAGMA-CDIL28-T -55°C to +225°C MAGMA PWM Controller
PWM controller CHT-MAGMA-CSOIC28-T -55°C to +225°C MAGMA PWM Controller
High Temperature Power MOSFETs N-channel 80V CHT-PLA4091A-TDFP16-T -55°C to +225°C NMOS 80V
High Temperature Power MOSFETs N-channel 80V CHT-NMOS8001 -55°C to +225°C NMOS 80V
High Temperature Power MOSFETs N-channel 80V CHT-NMOS8005-TO254-T -55°C to +225°C NMOS 80V
High Temperature Power MOSFETs N-channel 80V CHT-NMOS8010-TO254-T -55°C to +225°C NMOS 80V
High Temperature Power MOSFETs N-channel 80V CHT-NMOS80-TO3-T -55°C to +225°C NMOS 80V
High Temperature Power MOSFETs N-channel 80V CHT-NMOS80-TO254-T -55°C to +225°C NMOS 80V
High Temperature Power 40V N-channel MOSFETs CHT-NMOS4005-TO254-T -55°C to +225°C NMOS 40V, 3.9A
High Temperature Power 40V N-channel MOSFETs CHT-NMOS4010-TO254-T -55°C to +225°C NMOS 40V, 7.6A
High Temperature Power 40V N-channel MOSFETs CHT-NMOS4020-TO254-T -55°C to +225°C NMOS 40V, 14A
High Temperature, High Voltage Power MOSFET 1200V CHT-PLA8543C-TO257-T -55°C to +225°C MOSFET 1200V
High Temperature, High Voltage Power MOSFET 1200V CHT-NEPTUNE -55°C to +225°C MOSFET 1200V
High-Reliability, High-Temperature Half-Bridge Isolated Gate-Driver EVK-TIT0636A -55°C to +225°C High-Temperature Half-Bridge Isolated Gate-Driver dedicated to SiC MOSFETs
High-Reliability, High-Temperature Half-Bridge Isolated Gate-Driver EVK-HADES -55°C to +225°C High-Temperature Half-Bridge Isolated Gate-Driver dedicated to SiC normally-ON JFETs
High Temperature dual MOSFET N-channel 40V CHT-PLA2016A-CSOIC16-T -55°C to +225°C dual MOSFET N-Channel
High Temperature Dual, Common Anode, Small Signal Diodes CHT-PLA5520A-TO18-T -55°C to +225°C Dual Small Signal Diode - Common Anode
High Temperature 80V/3A Dual Diode CHT-PLA0738A-TO257-T -55°C to +225°C CHT-AMALTHEA - Dual Diode 80V/3A Common Anode
High Temperature 80V/3A Dual Diode CHT-PLA0738B-TO257-T -55°C to +225°C CHT-AMALTHEA - Dual Diode 80V/3A Common Cathode
High Temperature 80V/3A Dual Diode CHT-PLA0738C-TO257-T -55°C to +225°C CHT-AMALTHEA - Dual Diode 80V/3A Dual Series
High Temperature Dual Series Small Signal Diodes CHT-PLA5598C-TO18-T -55°C to +225°C Dual Series Small Signal Diode
High Temperature Power MOSFETs P-channel 30V CHT-PMOS3002-TO254-T -55°C to +225°C MOSFET P-Channel
High Temperature Power MOSFETs P-channel 30V CHT-PMOS3004-TO254-T -55°C to +225°C MOSFET P-Channel
High Temperature Power MOSFETs P-channel 30V CHT-PMOS3008-TO254-T -55°C to +225°C MOSFET P-Channel
High Temperature Small-Signal MOSFET N-channel 80V CHT-SNMOS80-TO39-T -55°C to +225°C Small Signal NMOS 80V
High Temperature Small-Signal MOSFET N-channel 80V CHT-SNMOS80-TO18-T -55°C to +225°C Small Signal NMOS 80V
High Temperature Dual Series Small Signal Diodes CHT-GANYMEDE -55°C to +225°C Dual Series Small Signal Diode
CHT-PLA5520A-TO18-T 双小信号二极管 - 共阳极
CHT-CG50高温度水晶的时钟发生器SWITH添加的功能。它设有一个晶体振荡器驱动禁用输入，一个辅助的时钟信号输入端和一个可编程的分频器链的。使用外部晶体，它的目的是提供可靠的精度性能在整个温度范围-55到+225°C。 典型的表现：
3.3至5V的电源供应器
温度范围：-55°C至+225°C
输入源：晶振或外部时钟
频率：DC至50MHz
3态输出缓冲器
可编程的输出缓冲
可编程输出分频器
可编程晶体驱动器（CHT-CG50）
待机模式
内部的无源元件（CHT-CG50）
CHT-CG50-CDIL24-T 50MHz的
CHT-555是 典型演出： 高温，低功耗的，高度稳定的装置，用于产生精确的时间延迟或振荡，具有增强的能力相比众所周知NE555。
5V电源
温度范围：-55°C至+225°C（运行到250°C）
定时从微秒到小时
单稳态和双稳态模式
CHT-555-CDIL8-T 引脚到引脚555兼容
CMT-555是 典型演出： 高温，低功耗的，高度稳定的装置，用于产生精确的时间延迟或振荡，具有增强的能力相比众所周知NE555。
5V电源
温度范围：-55°C至+175°C
定时从微秒到小时
单稳态和双稳态模式
CMT-555-PSOIC8-T 引脚到引脚555兼容
AMAZON高温超低功耗10位ADC的主要特点：
10位分辨率，可选的内部时钟，采样/保持，μC接口与
并行或串行数据传输
25kS / s的
+5 V电源
低电源电流（<250μA）
经营从-55℃到+225°C，非常低漂移
功能到+300°C
CHT-ADC10-CDIL28-T * ADC 10位
NILE高温8位可编程阈值比较的主要特点：
连续使用时间
2.6μsec典型的延迟
+5 V电源
低电源电流（<250μA）
经营从-55℃到+225°C
CHT-PTC8-CSOIC16-T 8位可编程比较器
VOLGA高温，高速，轨到轨比较器
温度范围：-55°C至+225°C
电源：5V±10％
轨至轨I / O
内部迟滞：6 mV典型值。
推挽式CMOS输出级：±16毫安最大
传播延迟：29ns的典型。（20 mV过）
休眠时消耗电流：1 nA的典型。（25°C）
静态电流消耗：
600μA（典型值）。（@ 25°C）
1.26毫安典型。（225°C）
最大工作频率：25 MHz的典型。
包装方式：：陶瓷TDFP16（5.0×5.5毫米）
北京中航泰瑞技术有限公司供应CISSIOD高温器件，进口原装，质量保证，假一罚十，欢迎咨询洽谈。肖小姐：
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CHT-RIV1675A TDFP16-T 高温高速，轨到轨比较器
POLARIS是一个多功能的正参考电压，提供多种输出电压（见下表），并具有3mA输出缓冲器。
典型的表现：
温度范围：-55°C至225°C（运行到300°C）
输入电压：输出电压2V输出电压+15 V
最大输出电流：3mA
各种精密（绝对）：+ / -2％
通过键合的调整
静态电流：650μA
可用包装：模具和TO-39
型号 输出电压 最大输入电压 IOUT
CHT-BG3M-025-TO39-T 2.5V 17.5V 3毫安
CHT-BG3M-033-TO39-T 3.3V 18.3V 3毫安
CHT-BG3M-050-TO39-T 5V 20V 3毫安
CHT-BG3M-090-TO39-T 9V 24V 3毫安
CHT-BG3M-100-TO39-T 10V 25V 3毫安
CHT-BG3M-120-TO39-T 12V 25V 3毫安
CHT-LDOP 范围：正电压低压差线性稳压器
CHT-LDOP是一个积极的低压差线性稳压器在一个单一的芯片。输出电压可以选择从一个长长的清单可用值（见下表）。CHT-LDOP适于系统只有正电源。
典型的表现：
温度范围：-55°C至225°C（运行到300°C）
输入电压：输出电压2V至25V（30V的高电压输入）
最大输出电流：1A
总精度（绝对+漂移）：2％
短路保护：折返
通过键合的调整
静态电流：3mA
可用包装：模具，TO-254
型号 输出电压 最大输入电压 IOUT
CHT-LDOP-025-TO254-T 2.5V 25V 1A
CHT-LDOP-033-TO254-T 3.3V 25V 1A
CHT-LDOP-050-TO254-T 5V 25V 1A
CHT-LDOP-055-TO254-T 5.5V 25V 1A
CHT-LDOP-090-TO254-T 9V 25V 1A
CHT-LDOP-100-TO254-T 10V 25V 1A
CHT-LDOP-120-TO254-T 12V 30V 1A
CHT-LDOP-130-TO254-T 13V 30V 1A
CHT-LDOP-150-TO254-T 15V 30V 1A
CHT-LDOS范围：高建国电压的低压差线性稳压器
CHT-LDOS是apositive的的低压差线性稳压器在一个单一的芯片。输出电压可以选择从一个长长的清单可用值（见下表）。CHT-LDOS适应系统采用对称的电源
典型的表现：
温度范围：-55°C至225°C（运行到300°C）
输入电压：输出电压2V至25V（30V的高电压输入）
最大输出电流：1A
总精度（绝对+漂移）：2％
短路保护：折返
通过键合的调整
静态电流：3mA
可用包装：模具，TO-254
型号 输出电压 最大输入电压 IOUT
CHT-LDOS-025-TO254-T 2.5V 25V 1A
CHT-LDOS-033-TO254-T 3.3V 25V 1A
CHT-LDOS-050-TO254-T 5V 25V 1A
CHT-LDOS-055-TO254-T 5.5V 25V 1A
CHT-LDOS-090-TO254-T 9V 25V 1A
CHT-LDOS-100-TO254-T 10V 25V 1A
CHT-LDOS-120-TO254-T 12V 30V 1A
CHT-LDOS-130-TO254-T 13V 30V 1A
CHT-LDOS-150-TO254-T 15V 30V 1A
CHT-LDN“ CHT-LDNS 范围：负电压低压差线性稳压器是负低压差线性稳压器在一个单一的芯片。输出电压可以选择从一个长长的清单可用值（见下表）。
典型的表现：
温度范围：-55°C至225°C（运行到300°C）
输入电压：输出电压为-2V至15V输出
最大输出电流：1A
总精度（绝对+漂移）：2％
短路保护：折返
通过键合的调整
静态电流：3mA
可用包装：模具，TO-254
北京中航泰瑞技术有限公司供应CISSIOD高温器件，进口原装，质量保证，假一罚十，欢迎咨询洽谈。肖小姐：
电话：010-62669839 传真：010-62669766 QQ：2880175955，2880175958
型号 输出电压 最大输入电压 IOUT
CHT-LDNS-025-TO254-T -2.5V -25V 百毫安
CHT-LDNS-033-TO254-T -3.3V -25V 1A
CHT-LDNS-050-TO254-T -5V -25V 1A
CHT-LDNS-055-TO254-T -5.5V -25V 1A
CHT-LDNS-090-TO254-T -9V -25V 1A
CHT-LDNS-100-TO254-T -10V -25V 1A
CHT-LDNS-120-TO254-T -12V -30V 1A
CHT-的LDNS-130-TO254-T -13V -30V 1A
CHT-LDNS-150-TO254-T -15V 30V 1A
CHT-VEGA是单芯片，积极，可调线性稳压器，低压差。可调节的输出电压，通过外部2电阻电桥。CHT-VEGA是在一个很小的陶瓷封装TDFP-16小的PCB占位面积是关键的应用中，。
典型的表现：
温度范围：-55°C至225°C。
输入电压：4.5V?5.5V
输出电压：1.2V至3.3V（可调）
最大输出电流：500mA
总精度（绝对+漂移）：+ / -5％
过电流限制
热保护：300°C典型值。
静态电流：1mA
可用包装：TDFP16
型号 输出电压
CHT-STA4853B TDFP16-T 1.2V至3.3V
PALLAS CHT-FBDR是一个高温的全桥式N沟道MOSFET驱动器包括两个独立的低边和高边驱动器通道高边渠道相关联，包括集成的电荷泵。驱动器输出摆幅为从0到10 V，并能源和吸收高达80 mA的峰值电流低侧流道和20 mA的峰值电流高侧通道。低侧的信道被引用到地面，而海赛德通道漂浮地上。
典型的表现：
温度范围：-55°C至225°C。
门高侧电压高达60V
高边栅极MOSFET电源电压高达50V
10V模拟电源电压
5V数字电源电压
可用包装：陶瓷DIL4
CHT-PALLAS CDIL40-T 全桥驱动器
HYPERION是适合驱动MOSFET在DC-DC转换器，半桥驱动器在电机控制应用和电源逆变器的设计。
在一个典型的电阻为1欧姆，高侧和低侧上都可以驱动多达1 nF的负载在200℃下具有40 ns传播延迟和15 ns过渡时间 内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗，防止同时导通，使用时，在MOSFET驱动器中的应用。高侧浮动驱动器引导和可以调节电压高达35V的引导节点上。
欠压锁定功能，高侧开关关闭，直到驱动程序的正常运行有足够的电压。撬棍输入变为低侧驱动器上独立的输入信号状态，低侧禁用引脚允许在非同步模式下的操作。一个关断引脚关闭高侧和低侧驱动器
CHT-HYPERION CDIL28-T 高侧和低侧驱动器
CHT-HYPERION CSOIC28-T 高侧和低侧驱动器
CHT-HYPERION CDIL28-T 高侧和低侧驱动器
CHT-HYPERION CSOIC28-T 高侧和低侧驱动器
特点：
世界第一高密度电源模块相结合的碳化硅和硅绝缘体
工作温度可达250°C
适用于多千瓦/兆瓦的电力转换器和电机驱动装置
可以将一个广泛的功率器件，包括碳化硅JFET，MOSFET或BJT
额定电压：1200V
可扩展到200 + A
尺寸和重量减少的一个因素5
THEMIS和ATLAS，都是为了高效率电机驱动器和电源转换器。THEMIS和ATLAS是专门为最先进的电源开关，包括碳化硅（SiC）的MOSFET和JFET以及硅IGBT和MOSFET驱动无缝。该芯片组是节能，可靠的电源转换器和电机驱动器的基石。他们的一部分的HADES™，集成的栅极驱动持续高温。因此，它们可以位于旁边的SiC功率开关几个nH，降低寄生电感，并因此减少开关损耗，因为过渡越快。较低的开关损耗，可以提高开关频率的电源转换器，从而减少被动元件的大小。
ATLAS设有2个不同的渠道，能够采购（或下沉）2A的功率晶体管的门，因此4A总。对于需要较高的功率的应用程序，该解决方案是可伸缩的，并可以控制每THEMIS 5 ATLAS电路，电流高达20A来驱动功率晶体管的栅极，这通常可以打开/关闭，在不到SiC晶体管50纳秒。一套完整的内置保护功能，如欠压锁定，退饱和检测，软关断和有源米勒钳位，促进电气设计，降低了物料清单。
新的芯片组THEMIS / ATLAS CISSOID会发现直接应用在航空航天，减少重量和体积是必须的，不影响其可靠性：新一代的电动执行机构，以取代传统的液压执行器，以及电力转换和发电系统，可以立即受益于THEMIS ATLAS。同样，在国防，铁路，可再生能源和一般工业应用，高功率密度解决方案使由CISSOID是一种颠覆性的技术，将改变工程师设计电源转换器和电机驱动器。
典型的表现：
温度范围：-55°C至225°C。
可扩展的汇/源电流为2A至20A
电源电压：5V至30V
能驱动常开和常关电源设备
可用包装：陶瓷SOIC28
CHT-TIT9570C CSOIC28-T 功率晶体管驱动器控制器
CHT-TIT3345E CSOIC28-T 双信道功率晶体管驱动器
EVK-TIT9036 功率晶体管驱动器评估套件
RHEA是一种高温度数据传输的解决方案，光电隔离，2.5kV的和可靠运行，从-55°C到+225°C. CHT-RHEA是一个单芯片双通道，全双工收发器（2个发射和接收通道）。在每个通道上的磁隔离，确保由一个外部的微小的脉冲变压器，其中的纤芯直径不超过6毫米（0.24“）。完整的4通道的数据传输需要CHT-RHEA的脉冲变压器的每一侧上的一个实例。
RHEA CISSOID的完全隔离的栅极驱动器技术哈迪斯™，在那里它可以确保传输的低和高的电压域之间的控制和反馈信号的一部分。
典型的表现：
温度范围：-55°C至+225°C
数据传输速率：2Mbits / s的
传输延迟低于100ns
抖动低于21ns
的dv / dt抗扰性：50kV/μs
北京中航泰瑞技术有限公司供应CISSIOD高温器件，进口原装，质量保证，假一罚十，欢迎咨询洽谈。肖小姐：
电话：010-62669839 传真：010-62669766 QQ：2880175955，2880175958
CHT-TIT4750G CSOIC28-T 2Mbps的双通道隔离收发器
EVK-TIT6443 评估工具包：4个通道，2Mbps的孤立的数据链接
EVK-HADES®评估套件：
评估板EVK-HADES®可以立即使用，实现了一个功率转换器或电机驱动，支持总线电压600V/1200V和栅极电流高达±2A（通常是关闭的双向SemiSouth）或±4A（Cree公司的MOSFET） 。两个通道（高和低侧），可以彼此独立地控制，或使用中的半桥式配置。在后者的情况下，与外部电源开关组合EVK-哈迪斯板可以形成一个完整的1腿直接评定和检测的逆变器的解决方案。
该参考设计是基于芯片组的CHT-THEMIS / CHT-ATLAS和CHT-RHEA。该解决方案还包括一个内置的隔离电源与CHT-MAGMA PWM控制器。需要更大的栅电流的应用中，设计人员可以修改HADES®参考设计和建立自己的电路板增加至5个额外的CHT-ATLAS电路每通道（高侧和低侧），以源出/吸入电流可达+ / -20A功率开关器件的栅极。
董事会EVK-HADES人口与CISSOID在的陶瓷封装形式（CSOIC28）的集成电路，保证为-55°C至+225°C。板是基于聚酰亚胺PCB（额定200℃）。被动元件及去饱和二极管允许工作温度可达175°C，可能的短途旅行到225°C进行测试。该评估板提供完整的电气原理图，该法案的材料，包括主动和被动元件，Gerber文件。
评估板 - 功能与性能：
CISSOID活性成分保证在-55°C至+225°C（TJ）
200°C聚酰亚胺PCB
董事会合格的为175°C的环境温度下（短途旅行225°C测试允许）
高侧和低侧栅极驱动器
设计母线电压为1200VDC
门的输出电流±4A
隔离（小学 - 中学）：
2,500 VAC，50赫兹（为1MN）
>100MΩ@ 500VDC
共模瞬态抗扰度：
30kV/μs典型值（专为50kV/μs）
延迟时间（PWM NGH / NGL））：200ns的典型。
门极电压：
MOSFET支持20V /-5V标称值（EVK-TIT0636A）
JFET（SemiSouth常OFF SJEP120R100）的支持：-16V / 16V（EVK TIT0636B）
上升时间（1nF的负载）：10ns的典型。
下降时间（1nF的负载）：10ns的典型。
开关频率为150kHz（可能超过）
单电源供电：+12 V±10％
电压（数字I / O）接口：5V±10％
欠压锁定（UVLO）
独立的PWM输入HS和LS驱动程序或单个PWM输入与主板上的非重叠
有源米勒钳位
去饱和保护
隔离故障输出
EVK-TIT0636A 高温半桥隔离门极驱动器专用的SiC MOSFET的
EVK-TIT0636B 高温半桥隔离门极驱动器专用碳化硅常双向SemiSouth SJEP120R100
CHT-MAGMA是一个PWM控制器高温DC-DC转换器和开关电源。
典型的表现：
电压模式PWM控制器
可调最大占空比高达90％
可调节的恒定开关频率在50KHz到500KHz的
从6V至30V的输入电压
输入电压前馈
片上2.5V参考电压
待机模式
欠压锁定
软启动功能
同步功能
电源良好标记
输出使能
CHT-MAGMA-CDIL28-T MAGMA PWM控制器
CHT-MAGMA-CSOIC28-T MAGMA PWM控制器
