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一级分类 二级分类 型号 制造商 描述 库存数量 价格($) 参数
半导体模块 FET VS-FB190SA10 Vishay Semiconductor Diodes Division MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 库存充足
包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):190A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 180A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.35V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):250nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10700pF @ 25V,功率 - 最大值:568W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227
半导体模块 FET IXFN180N25T IXYS MOSFET N-CH 155A 250V SOT-227 库存充足
包装:管件,系列:GigaMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):250V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):164A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12.9 毫欧 @ 60A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):345nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):28000pF @ 25V,功率 - 最大值:900W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN64N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 库存充足
包装:管件,系列:PolarHV™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):500V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):61A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):85 毫欧 @ 32A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):150nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8700pF @ 25V,功率 - 最大值:700W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN180N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B 库存充足
包装:管件,系列:PolarHT™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):150V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):150A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11 毫欧 @ 90A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):240nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7000pF @ 25V,功率 - 最大值:680W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN140N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B 库存充足
包装:管件,系列:PolarHT™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):115A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):18 毫欧 @ 70A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):240nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7500pF @ 25V,功率 - 最大值:680W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227
半导体模块 FET IXFN200N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B 库存充足
包装:管件,系列:Polar™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 500mA,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):235nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7600pF @ 25V,功率 - 最大值:680W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN520N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 库存充足
包装:管件,系列:TrenchT2™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):75V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):480A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 100A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):545nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):41000pF @ 25V,功率 - 最大值:940W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN48N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B 库存充足
包装:管件,系列:HiPerFET™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):500V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):48A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 500mA,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):270nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8400pF @ 25V,功率 - 最大值:520W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXTN600N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227 库存充足
包装:管件,系列:TrenchT2™ GigaMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):600A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.05 毫欧 @ 100A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):590nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):40000pF @ 25V,功率 - 最大值:940W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN110N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 库存充足
包装:管件,系列:Polar3™ HiPerFET™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):600V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):90A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):56 毫欧 @ 55A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):245nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):18000pF @ 25V,功率 - 最大值:1500W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXTN170P10P IXYS MOSFET P-CH 100V 170A SOT227 库存充足
包装:管件,系列:PolarP™,FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):170A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12 毫欧 @ 500mA,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):240nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):12600pF @ 25V,功率 - 最大值:890W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN180N10 IXYS MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B 库存充足
包装:管件,系列:HiPerFET™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):180A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8 毫欧 @ 500mA,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):360nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9100pF @ 25V,功率 - 最大值:600W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN230N20T IXYS MOSFET N-CH 230A 200V SOT-227 库存充足
包装:管件,系列:GigaMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):220A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 60A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):378nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):28000pF @ 25V,功率 - 最大值:1090W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN82N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B 库存充足
包装:管件,系列:PolarHV™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):600V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):72A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):75 毫欧 @ 41A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):240nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):23000pF @ 25V,功率 - 最大值:1040W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN100N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B 库存充足
包装:管件,系列:PolarHV™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):500V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):90A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):49 毫欧 @ 50A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):240nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):20000pF @ 25V,功率 - 最大值:1040W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN240N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 库存充足
包装:管件,系列:GigaMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):150V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):240A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.2 毫欧 @ 60A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):460nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):32000pF @ 25V,功率 - 最大值:830W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN210N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B 库存充足
包装:管件,系列:HiPerFET™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):188A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 105A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):255nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):18600pF @ 25V,功率 - 最大值:1070W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN360N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 库存充足
包装:管件,系列:GigaMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):150V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):310A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4 毫欧 @ 60A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):715nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):47500pF @ 25V,功率 - 最大值:1070W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
半导体模块 FET IXFN320N17T2 IXYS MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 库存充足
包装:管件,系列:GigaMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):170V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):260A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5.2 毫欧 @ 60A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):640nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):45000pF @ 25V,功率 - 最大值:1070W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B
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