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CL5R5105H|韩国korchip高奇普5.5V 1F 型

2025-8-13 16:54:00
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中美晶(5483)旗下矽晶圆厂环球晶(6488)今(1)日表示,4月13至16日将于“LEDTAIWAN2016”会中发表宽能隙半导体元件(WideBandgapSemiconductorDevice)关键材料最新研发成果,依功率元件的应用功率,分别展出矽(Si)、氮化镓(GaN)及碳化矽(SiC)产品。

环球晶并指出,矽产品将展出3寸至12寸晶圆,包括磊晶片、退火片、抛光片及SOI;氮化镓产品将展出6寸及8寸CrackFreeGaN/Si;以及碳化矽产品将展出晶球及双抛晶片。

环球晶表示,目前在矽晶圆产品可因应客户端产品应用之不同,提供具有超平坦、超高或超低阻值等各式需求产品,进而开发适合氮化镓使用之强化矽基板;新基材的研发产品可大幅改善因应力引起之破裂翘曲等问题,有助於後制程使用者提昇良率,同时其高稳定性可让使用者感受到制程可调动范围变宽,以利加速产品开发。