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FET - 单 > SPW11N80C3

2015-4-23 17:40:00
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数据列表 SPW11N80C3

产品相片 TO-247-3

产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

标准包装 240

类别 分立式导体产品

家庭 FET - 单

系列 CoolMOS™

包装 管件

FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能 标准

漏源极电压 (Vdss) 800V

电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 11A (Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 450 毫欧 @ 7.1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 680μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 85nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1600pF @ 100V

功率 - 最大值 156W

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 PG-TO247-3

产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)

其它名称 SP000013703

SPW11N80C3FKSA1

SPW11N80C3IN

SPW11N80C3X

SPW11N80C3XK

SPW11N80C3XTIN

SPW11N80C3XTIN-ND

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