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数据列表 PSMN059-150Y
产品相片 LFPAK-4, SOT669
标准包装 1,500
类别 分立式导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 150V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 43A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 59 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 27.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1529pF @ 30V
功率 - 最大值 113W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商器件封装 LFPAK，Power-SO8
其它名称 568-4734-2
934061773115
PSMN059-150Y T/R
PSMN059-150Y T/R-ND
PSMN059-150Y,115-ND
PSMN059150Y115
