IRFB3206PBF 深圳市拓亿芯电子有限公司专业代理IR品牌优势系列
场效应管 MOSFET N沟道 60V TO-220AB
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 210A
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS（上）: 3mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs 典型值: 4V
功耗 Pd: 300W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
晶体管封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
MSL: -
SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
器件标号: 3206
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
栅极电荷 Qg N沟道: 120nC
漏极电流, Id 最大值: 210A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 60V
电压, Vgs 最高: 4V
电流, Idm 脉冲: 840A
表面安装器件: 通孔
阈值电压, Vgs th 最低: 2V
阈值电压, Vgs th 最高:
