图文及资料仅供参考，以实际PDF为准标准包装：50
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：43A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：42 毫欧 @ 22A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：2400pF @ 25V
功率 - 最大：200W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
