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数据列表 FQP2N60C, FQPF2N60C
产品相片 TO-220AB
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
PCN Design/Specification Passivation Material 14/May/2008
标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 2A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.7 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 235pF @ 25V
功率 - 最大值 23W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商器件封装 TO-220F
