数据列表 XC2Cyyy, CPLD Family
XC2C256
产品相片 PK373-CP132
标准包装 360 类别 集成电路 (IC) 家庭 嵌入式 - CPLD（复杂可编程逻辑器件） 系列 CoolRunner II 可编程类型 系统内可编程 延迟时间 tpd(1) 最大值 6.7ns 电源电压 - 内部 1.7 V ~ 1.9 V 逻辑元件/块数 16 宏单元数 256 栅极数 6000 I/O 数 106 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 表面贴装 封装/外壳 132-TFBGA，CSPBGA 供应商器件封装 132-CSPBGA（8x8） 包装 托盘 配用 122-1573-ND - KIT STARTER COOLRUNNER-II LP/LC
122-1512-ND - KIT DESIGN CPLD W/BATT HOLDER
减弱EMI的几种常规技术
这里有几种方法可减弱EMI的影响。
对于传导性EMI来说，开关电流必须经输入电容和输入EMI滤波器进行低通滤波，使它们可在到达电源时被大幅衰减。可是，这种过滤并不彻底，而且经常会遗留一定程度的开关电流使得系统不能通过传导性的EMI测试。
使用在MOSFET和二极管电源开关中的辐射性EMI缓冲器可以减慢开关波形的上升和下降时间，并整形谐波电流和电压的频谱，以使系统更易符合规格标准。另一方面，缓冲器会消耗一些能量，使得辐射性放射出来的能量减少，降低电源的效率。
另一种减弱EMI的方法是将电源放置在一个金属箱内以封锁辐射性噪声，或可以将受影响的设备密封或与产生噪声的电源隔离。这两个方案可以相互替代，也可以一起配合使用。辐射性EMI也可通过改善电源的布局来降低。这些技术的操作原理已在图2中说明，当中采用了输入滤波器、缓冲器和金属箱。其中C1、L1和C3组成了一个输入滤波器，而D3和D4则组成一个箝位电路以减轻因变压器泄漏电感而造成的电压尖峰。分别由R2和C4以及R3和C5组成的缓冲器则分别减慢MOSFET漏源电压的振铃和输出整流器电压的振铃。
上述方法都旨在减少所产生出来的整体EMI能量。但是除了最后一种方法外，大多数方法都会使电源供应器的尺寸加大，成本更高和复杂性更大，效率也会降低，甚至得不偿失。
