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IMZA65R030M1H中文资料CoolSiC ™ MOSFET 650V – SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，性能可靠且经济高效数据手册Infineon规格书
IMZA65R030M1H规格书详情
描述 Description
CoolSiC ™ MOSFET 技术利用碳化硅的强大物理特性，增加了独特的功能，提高了设备的性能、稳健性和易用性。这款 650V CoolSiC ™采用最先进的沟槽 MOSFET 构建，经过优化，可在应用中给定导通电阻时实现最低开关损耗，并在运行中实现最高可靠性。
特性 Features
• 第一代 CoolSiC ™
• COSS中存储能量低
• 平坦 COSS
• 平坦 RDS(on) 随温度变化
应用 Application
• 新能源汽车动力系统
技术参数
- 制造商编号
：IMZA65R030M1H
- 生产厂家
：Infineon
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
：30 mΩ
- VDSmax
：650 V
- Package
：TO247 4-pin (asymmetric leads)
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Technology
：CoolSiC™ G1
- Polarity
：N
- Qualification
：Industrial
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
24+ |
PG-TO247-4 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2022+ |
PG-TO247-4-3 |
48000 |
只做原装,绝对原装,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-247-4 |
10000 |
只做全新原装,实单来 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-4-3 |
6000 |
我们只做原装正品,支持检测。 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-4-3 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25 |
PG-TO247-4-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon |
53 |
只做正品 |
询价 | ||||
INFINEON |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2511 |
PG-TO247-4-3 |
9550 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
