CoolSiC ™ MOSFET 650V – SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，性能可靠且经济高效

CoolSiC ™ MOSFET 技术利用碳化硅的强大物理特性，增加了独特的功能，提高了设备的性能、稳健性和易用性。这款 650V CoolSiC ™采用最先进的沟槽 MOSFET 构建，经过优化，可在应用中给定导通电阻时实现最低开关损耗，并在运行中实现最高可靠性。 • 第一代 CoolSiC ™ \n• COSS中存储能量低\n• 平坦 COSS\n• 平坦 RDS(on) 随温度变化;

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丝印：65R030M1；Package：PG-TO247-4-3；650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device

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650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device

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MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

Features • Optimized switching behavior at higher currents • Commutation robust fast body diode with low Qf • Superior gate oxide reliability • Tj,max=175°C and excellent thermal behavior • Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature • Increased avalanche capability • Compatib

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650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device

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