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IMYH200R050M1H中文资料CoolSiC ™ 2000 V SiC 沟槽 MOSFET,采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IMYH200R050M1H

功能描述

CoolSiC ™ 2000 V SiC 沟槽 MOSFET,采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-21 16:53:00

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IMYH200R050M1H规格书详情

特性 Features


优势:
• High power density
• Excellent reliability
• Highest efficiency
• Ease of design

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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