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IMYH200R050M1H中文资料CoolSiC ™ 2000 V SiC 沟槽 MOSFET，采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装数据手册Infineon规格书
IMYH200R050M1H规格书详情
特性 Features
优势:
• High power density
• Excellent reliability
• Highest efficiency
• Ease of design
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
23+ |
原厂封装 |
9888 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
MOS |
5000 |
原厂支持公司优势现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
PG-TO247-4 |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
询价 | ||
ROHM |
25+23+ |
Sot-153 |
31089 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO247-4 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-4 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-4 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-4 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
SOT-163SOT-23-6 |
6204 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
ROHM |
23+ |
sot163 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 |
