丝印：65R033M2；Package：PG-LHSOF-4；SiC MOSFET CoolSiC™ MOSFET 650 V G2

Features • Ultra‑low switching losses • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Robust against parasitic turn‑on even with 0 V turn‑off gate voltage • Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme • Robust body diode operation under hard commutation events •

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CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2，采用 Thin-TOLL 8x8 封装

Thin-TOLL 8x8 中的 CoolSiC ™ MOSFET 分立 650 V G2 是利用性能技术（如 CoolSiC ™ G2）的最佳 8x8 选项。它克服了标准 8x8 热循环的限制，并改进了 .XT 互连以降低热阻。因此，可以充分利用 SiC 的特性，但产品仍保持较小的占用空间，这是功率密度的下一个合理步骤。 • 优异的品质因数 (FOM)\n• 同类最佳的 RDS(on)\n• 高稳健性和整体质量\n• 灵活的驱动电压范围\n• 支持单极驱动（VGS(off)=0）\n• 与所有 8x8 FET 引脚兼容\n• 改进了与 .XT 的封装互连\n• TCoB 提高 4 倍;

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SiC MOSFET CoolSiC™ MOSFET 650 V G2

Features • Ultra‑low switching losses • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Robust against parasitic turn‑on even with 0 V turn‑off gate voltage • Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme • Robust body diode operation under hard commutation events •

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Features • Ultra‑low switching losses • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Robust against parasitic turn‑on even with 0 V turn‑off gate voltage • Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme • Robust body diode operation under hard commutation events •

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