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IMT65R260M1H分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

IMT65R260M1H

参数属性

IMT65R260M1H 封装/外壳为8-PowerSFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:SILICON CARBIDE MOSFET

功能描述

MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device
SILICON CARBIDE MOSFET

丝印标识

65R260M1

封装外壳

PG-HSOF-8 / 8-PowerSFN

文件大小

1.4699 Mbytes

页面数量

15

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 14:14:00

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IMT65R260M1H规格书详情

IMT65R260M1H属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的IMT65R260M1H晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

特性 Features

• Optimized switching behavior at higher currents

• Commutation robust fast body diode with low Qf

• Superior gate oxide reliability

• Tj,max=175°C and excellent thermal behavior

• Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature

• Increased avalanche capability

• Compatible with standard drivers (recommended driving voltage: 0V-18V)

• Kelvin source provides up to 4 times lower switching losses

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IMT65R260M1HXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    CoolSiC™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 技术:

    SiC(碳化硅结晶体管)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    18V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    PG-HSOF-8-1

  • 封装/外壳:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    SILICON CARBIDE MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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