Features

• Optimized switching behavior at higher currents

• Commutation robust fast body diode with low Qf

• Superior gate oxide reliability

• Tj,max=175°C and excellent thermal behavior

• Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature

• Increased avalanche capability

• Compatible with standard drivers (recommended driving voltage: 0V-18V)

• Kelvin source provides up to 4 times lower switching losses

IMT65R083M1H属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个。英飞凌科技公司制造生产的IMT65R083M1H晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。