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IMT65R022M1H分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IMT65R022M1H |
| 参数属性 | IMT65R022M1H 封装/外壳为8-PowerSFN；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：SILICON CARBIDE MOSFET |
| 功能描述 | SiC N-Channel MOSFET |
| 封装外壳 | 8-PowerSFN |
| 文件大小 |
420.31 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
| 中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 18:31:00 |
| 人工找货 | IMT65R022M1H价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IMT65R022M1H规格书详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 79A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 20V
APPLICATIONS
·Switch Mode Power Supply (SMPS)
·Uninterruptible Power Supply (UPS)
·Power Factor Correction (PFC)
产品属性
- 产品编号：
IMT65R022M1HXUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 系列：
CoolSiC™
- 包装：
管件
- 技术：
SiC（碳化硅结晶体管）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
18V
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
PG-HSOF-8-1
- 封装/外壳：
8-PowerSFN
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
23+ |
PG-HSOF-8 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
QFN |
3000 |
正规渠道原装正品 |
询价 | ||
N/A |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IMT |
23+ |
DIP |
1800 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
NANOTEC |
23+ |
原厂封装 |
9888 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
IMT |
DIP |
1000 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
IMT |
DIP |
3350 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
IMT |
2022 |
DIP |
2600 |
全新原装现货热卖 |
询价 | ||
ST |
2511 |
ZIP |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
