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IMT65R022M1H分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
IMT65R022M1H规格书详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 79A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 20V
APPLICATIONS
·Switch Mode Power Supply (SMPS)
·Uninterruptible Power Supply (UPS)
·Power Factor Correction (PFC)
产品属性
- 产品编号：
IMT65R022M1HXUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 系列：
CoolSiC™
- 包装：
管件
- 技术：
SiC（碳化硅结晶体管）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
18V
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
PG-HSOF-8-1
- 封装/外壳：
8-PowerSFN
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
an |
23+ |
25-SIL |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
N/A |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-HSOF-8 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
ST |
2511 |
ZIP |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
NANOTEC |
23+ |
原厂封装 |
9888 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
IMT |
DIP |
3350 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
IMT |
DIP |
1000 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
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询价 | ||
Nanotec |
18+ |
ZIP-25 |
85600 |
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询价 |
