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IMT65R022M1H分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IMT65R022M1H |
| 参数属性 | IMT65R022M1H 封装/外壳为8-PowerSFN；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：SILICON CARBIDE MOSFET |
| 功能描述 | SiC N-Channel MOSFET |
| 封装外壳 | 8-PowerSFN |
| 文件大小 |
420.31 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
| 中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-24 11:20:00 |
| 人工找货 | IMT65R022M1H价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IMT65R022M1H规格书详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 79A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 20V
APPLICATIONS
·Switch Mode Power Supply (SMPS)
·Uninterruptible Power Supply (UPS)
·Power Factor Correction (PFC)
产品属性
- 产品编号：
IMT65R022M1HXUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 系列：
CoolSiC™
- 包装：
管件
- 技术：
SiC（碳化硅结晶体管）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
18V
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
PG-HSOF-8-1
- 封装/外壳：
8-PowerSFN
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IMT |
DIP |
1000 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
NANOTEC |
23+ |
ZIP25 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
NANOTEC |
20+ |
ZIP25 |
67500 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
2447 |
ZIP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-HSOF-8 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
IMT |
1923+ |
DIP |
2000 |
自己库存原装正品特价出售 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
ST |
24+ |
ZIP |
200000 |
原装进口正口,支持样品 |
询价 | ||
NANOTEC |
21+ |
ZIP-25 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IMT |
2022 |
DIP |
2600 |
全新原装现货热卖 |
询价 |
