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IMBG65R030M1H数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

IMBG65R030M1H

参数属性

IMBG65R030M1H 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

功能描述

SiC MOSFET in compact SMD package
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:13:00

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IMBG65R030M1H规格书详情

特性 Features


优势:
• High performance, high reliability and ease of use
• Enable high system efficiency and power density
• Reduces system cost and complexity
• Enable cheaper, simpler and smaller systems
• Works in topologies with continuous hard commutation
• Fit for high temperature and harsh operations
• Enables bi-directional topologies

应用 Application

• Server
• Telecom
• SMPS
• Solar energy systems
• Energy storage and battery formation
• UPS
• EV charging
• Motor drives

简介

IMBG65R030M1H属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IMBG65R030M1H晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IMBG65R030M1HXTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 描述:

    SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
23+
PG-TO263-7
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
询价
Infineon(英飞凌)
20+
-
1000
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Infineon/英飞凌
25+
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15000
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2
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23+
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3652
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Infineon Technologies
25+
30000
原装现货,支持实单
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