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IMB10A	文件：73.58 Kbytes Page：3 Pages	丝印：B10；Package：SOT-26；General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTA123J chips in a EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. Application INVERTER, INTERFACE, DRIVE 文件：73.58 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMB10AFRA	文件：1.50031 Mbytes Page：10 Pages	丝印：B10；Package：SMT6；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors. 2) Two DTA123J chips in one package. 3) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit). 4) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolat 文件：1.50031 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMB10AT110	文件：526.19 Kbytes Page：8 Pages	PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors Features 1) Two DTA123J chips in a EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. Application INVERTER, INTERFACE, DRIVE 文件：526.19 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMB100	文件：238.1 Kbytes Page：1 Pages	2 DDR2-533/667/800 DIMM support up to 2GB 文件：238.1 Kbytes 页数：1 Pages	AXIOMTEK 艾讯科技	AXIOMTEK
IMB100VGGA	文件：238.1 Kbytes Page：1 Pages	2 DDR2-533/667/800 DIMM support up to 2GB 文件：238.1 Kbytes 页数：1 Pages	AXIOMTEK 艾讯科技	AXIOMTEK
IMB10A	文件：1.70288 Mbytes Page：11 Pages	丝印：B10；Package：SOT-26；General purpose Dual digital transistor 文件：1.70288 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMB10A	文件：486.57 Kbytes Page：8 Pages	丝印：B10；Package：SOT-26；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：486.57 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMB10A	文件：124.68 Kbytes Page：3 Pages	丝印：B10；Package：SOT-26；General purpose (dual digital transistors) 文件：124.68 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
IMB10A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(DTR+DTR) •漏电吸收型超小型复合三极管;	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
IMB10A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

封装：
SMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-457
JEITA Package：
SC-74
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47
Supply voltage VCC 2[V]：
-50
Collector current IC 2[A]：
-0.1
Input resistance R1 2 [kΩ]：
2.2
Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]：
47
Power Dissipation (PD)[W]：
0.3
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTA123J / DTA123J
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1.3)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IMB10供应商更新时间2025-12-21 16:30:00

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