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IKY50N120CH3

1200 V、50 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247PLUS 封装

采用 TO-247PLUS 4 针封装的硬开关 1200 V、50 A IGBT3。更高的电流能力、更好的热性能、更长的 CE 爬电距离是 TO-247PLUS 封装的主要特性。4pin 封装配置为栅极发射极控制环路提供了超低电感,并将 4pin 封装直接连接到栅极驱动器,并允许减少 E on 和 E off 损耗,总开关损耗 E ts 降低 20%。 • 极低的含量。电感环路\n • 用于驱动器反馈的发射极引脚\n • 降低开关损耗\n • 75 A、1200 V IGBT\n • 与 75 A 二极管共同封装\n • TO-247 封装;

Infineon

英飞凌

IKY50N120CH3

丝印:K50MCH3;Package:PG-TO247-4-2;Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode

文件:2.0273 Mbytes 页数:16 Pages

Infineon

英飞凌

IKY50N120CH3XKSA1

Package:TO-247-4;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 100A TO247-4

Infineon

英飞凌

IKQ50N120CH3

Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode

文件:2.09887 Mbytes 页数:16 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Eon:

    2.3 mJ

  • IC(@100°) max:

    50 A

  • IC(@25° ) max:

    100 A

  • ICpulsmax:

    200 A

  • IFmax:

    25 A

  • IFpulsmax:

    200 A

  • Irrm:

    33 A

  • Ptotmax:

    652 W

  • QGate:

    235 nC

  • Qrr:

    3400 nC

  • RGint:

    0 Ω

  • RG:

    10 Ω

  • td(off):

    296 ns

  • td(on):

    32 ns

  • tf:

    29 ns

  • tr:

    28 ns

  • VCE(sat):

    2 V

  • VCEmax:

    1200 V

  • VF:

    1.9 V

  • Package:

    TO-247-3

  • Switching Frequency:

    18 kHz to 60 kHz

  • Technology:

    IGBT HighSpeed 3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-247-4
1076
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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Infineon
24+
NA
3522
进口原装正品优势供应
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Infineon(英飞凌)
2447
PG-TO247-4-2
115000
240个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
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Infineon/英飞凌
2021+
PG-TO247-4-2
9600
原装现货,欢迎询价
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Infineon/英飞凌
24+
PG-TO247-4-2
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原装正品,假一赔十!
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Infineon/英飞凌
24+
PG-TO247-4-2
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全新原装深圳仓库现货有单必成
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Infineon/英飞凌
21+
PG-TO247-4-2
6820
只做原装,质量保证
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Infineon/英飞凌
2022+
PG-TO247-4-2
48000
只做原装,绝对原装,假一罚十
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Infineon/英飞凌
25
PG-TO247-4-2
6000
原装正品
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Infineon
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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更多IKY50N120CH3供应商 更新时间2025-12-1 10:27:00