IKY50N120CH3中文资料1200 V、50 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247PLUS 封装数据手册Infineon规格书

描述 Description

采用 TO-247PLUS 4 针封装的硬开关 1200 V、50 A IGBT3。更高的电流能力、更好的热性能、更长的 CE 爬电距离是 TO-247PLUS 封装的主要特性。4pin 封装配置为栅极发射极控制环路提供了超低电感，并将 4pin 封装直接连接到栅极驱动器，并允许减少 E on 和 E off 损耗，总开关损耗 E ts 降低 20%。

特性 Features

• 极低的含量。电感环路

• 用于驱动器反馈的发射极引脚

• 降低开关损耗

• 75 A、1200 V IGBT

• 与 75 A 二极管共同封装

• TO-247 封装

应用 Application

• 电动汽车充电

简介

IKY50N120CH3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKY50N120CH3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。