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IKW75N60T

600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

英飞凌的 600 V、75 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT3,采用在 TO-247中封装得全额定续流二极管,由于结合了沟槽单元和场终止概念,显著提高了静态和动态性能。IGBT和软恢复发射极控制二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于开关和传导损耗之间实现了折中方案,因此达到了较高效率。 • 更低的传导损耗实现较低的 VCEsat 压降\n• 低开关损耗\n• 由于 VCEsat 中的正温度系数,因此易于进行平行开关\n• 非常软且快速恢复的反平行发射极控制二极管\n• 具有高鲁棒性、温度稳定的行为\n• 低电磁干扰辐射\n• 低栅极电荷\n• 非常严格的参数分配\n\n优势:\n• 高效率 - 低传导和开关损耗\n• 600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计灵活性\n• 设备可靠性高;

Infineon

英飞凌

IKW75N60TA

Designed for DC/AC converters for Automotive Application

Infineon

英飞凌

IKW75N60TAFKSA1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

Infineon

英飞凌

IKW75N60TFKSA1

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Product Status:

    active and preferred

  • Green:

    yes

  • Halogen-free:

    undefined

  • Switching Frequency min:

    2 kHz

  • Switching Frequency max:

    20 kHz

  • Technology:

    IGBT TRENCHSTOP™

  • Voltage Class max:

    600 V

  • IC @ 100° max:

    75 A

  • VCE(sat):

    1.5 V

  • Qualification:

    Industrial

  • Eon:

    2.9 mJ

  • Eoff Hard Switching:

    2.9 mJ

  • IF max:

    80 A

  • Qrr:

    2400 nC

  • Driver Selection:

    5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT

  • Type:

    IGBT + Diode

  • Package name:

    PG-TO247-3

  • td(on):

    33 ns

  • tr:

    36 ns

  • td(off):

    330 ns

  • tf:

    35 ns

  • QGate:

    470 nC

  • IC @ 25° max:

    80 A

  • IFpuls max:

    225 A

  • VF:

    1.65 V

  • Irrm:

    38.5 A

  • ICpuls max:

    225 A

  • tSC:

    5 µs

  • Soft Switching:

    no

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更多IKW75N60T供应商 更新时间2025-10-5 8:21:00