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IKW60N60H3	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 分立器件 High speed 600 V, 60 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 co-packed with free-wheeling diode in a TO247 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses. • Low switching losses for high efficiency\n• Excellent Vce(sat)behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology\n• Fast switching behavior with low EMI emissions\n• Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses\n• Low gate resistor selection p;	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW60N60H3	文件：1.65821 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K60H603；Package：PG-TO247-3；600V high speed switching series third generation 文件：1.65821 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW60N60H3FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IGW60N60H3	文件：1.56443 Mbytes Page：14 Pages	High speed IGBT in Trench ahnd Fieldstop technology 文件：1.56443 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
undefined
Switching Frequency min：
20 kHz
Switching Frequency max：
100 kHz
Technology：
IGBT HighSpeed 3
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
60 A
VCE(sat)：
1.85 V
Qualification：
Industrial
Eon：
2.1 mJ
Eoff Hard Switching：
1.13 mJ
IF max：
80 A
Qrr：
1200 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO247-3
td(on)：
25 ns
tr：
39 ns
td(off)：
291 ns
tf：
23 ns
QGate：
375 nC
IC @ 25° max：
80 A
IFpuls max：
90 A
VF：
1.65 V
Irrm：
23 A
ICpuls max：
180 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

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