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IKW40N65F5	文件：2.73952 Mbytes Page：18 Pages	650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation Highspeed5IGBTinTRENCHSTOP™5technologycopackedwithRAPID1fastandsoftantiparalleldiode FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •650Vbreakdownvoltage •LowQG •IGBTcopackedwithRAPID	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW40N65F5	文件：2.47228 Mbytes Page：18 Pages	650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW40N65F5_13	文件：2.47228 Mbytes Page：18 Pages	650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW40N65F5A	文件：1.98575 Mbytes Page：16 Pages	IGBT copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW40N65F5AXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW40N65F5FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IKW40N65F5
功能描述：
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多IKW40N65F5供应商更新时间2025-5-29 13:30:00

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