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IKP01N120H2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IKP01N120H2 |
| 参数属性 | IKP01N120H2 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3 |
| 功能描述 | HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 8:01:00 |
| 人工找货 | IKP01N120H2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IKP01N120H2规格书详情
简介
IKP01N120H2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IKP01N120H2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IKP01N120H2XKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，1A
- 开关能量：
140µJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
13ns/370ns
- 测试条件：
800V，1A，241 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
PG-TO220-3-1
- 描述：
IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
1A,1200V |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
08+ |
TO-220 |
16500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
16500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
infineon |
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
