IKP01N120H2 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
IKP01N120H2
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
Infineon(英飞凌)
库存数量：
7000
产品封装：
标准封装
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-30 16:01:00

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原厂料号：IKP01N120H2品牌：Infineon(英飞凌)

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IKP01N120H2是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Infineon(英飞凌)/Infineon Technologies生产封装标准封装/TO-220-3的IKP01N120H2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
IKP01N120H2
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
内容页数：
14 页
文件大小：
387.74 kb
资料说明：
HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

产品属性

类型
描述
产品编号：
IKP01N120H2XKSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，1A
开关能量：
140µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
13ns/370ns
测试条件：
800V，1A，241 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
PG-TO220-3-1
描述：
IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3

供应商

企业：
深圳市赛特兴科技有限公司
商铺：
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联系人：
朱小姐
手机：
18988777135
询价：
电话：
0755-83210599
传真：
0755-83210599
地址：
深圳市福田区华强北路1016号宝华大厦A座1888A室

IKP01N120H2 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 INFINEON/英飞凌

IKP01N120H2

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