Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses

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INFINEON

英飞凌

600 V IGBT，单片集成反并联二极管，TO-252-3 封装

RC-Drives 600 V/ 10 A 硬开关第三代TRENCHSTOP™ IGBT芯片单片集成反向导通二极管，TO-252-3封装已成为敏感型消费驱动器市场的成本优化型解决方案。 • 优化的参数可将开关损耗降低20％\n• 开关频率范围为0~ 30kHz\n• 最大结温为 175°C\n• 5µs 短路能力\n• 参数分布非常紧凑\n• 同等封装尺寸下，业界最佳的高电流密度\n• 平滑的开关性能造就低 EMI 干扰\n\n优势:\n• 出色的性价比，适合硬开关应用\n• 出色的温度稳定性\n• 非常好的EMI行为\n• PCB上可节省高达60％的空间\n• 得益于单片集成的IGBT和二极管，从而在开关期间引起较小的温度波动进而较少的热循环，因此可靠性更高;

Infineon

英飞凌

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 20A 150W TO252-3

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600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

\n优势:\n• Low switching loses on competitive price\n• Improved controllability\n• Humidity Ruggedness improvement\n• Easy to design in products – drop in SMD replacement in DPAK and SOT\n• High system realibility\n• Enable inverterization of Small Appliance application with SOT;

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分立式IGBT

The RC-Drives 600 V, 10 A hard-switching IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO252 package, has been developed by Infineon as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous a • Optimized parameters for up to 20% lower switching losses\n• Operating range of DC to 30 kHz\n• Max junction temperature 175°C\n• Short circuit capability of 5µs\n• Very tight parameter distribution\n• Best in class current versus package size performance\n• Smooth switching performance leadin;

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 20A 150W TO252-3

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