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IKA06N60T	文件：379.05 Kbytes Page：4 Pages	Field-Stop IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.1V@IC=6A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance APPLICATIONS ·SolarConverters ·UninterruptedPowerSupply ·UPS,PFC ·WeldingConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IKA06N60T	文件：354.49 Kbytes Page：14 Pages	Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -VariableSpeedDriveforwashingmachines,airco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T	文件：520.309 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60T_13	文件：520.309 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKA06N60TXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 10A 28W TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKB06N60T	文件：371.12 Kbytes Page：14 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IKB06N60T	文件：658.38 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD06N60R	文件：1.89039 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD06N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKD06N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IKA06N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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