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IKA06N60T分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IKA06N60T

参数属性

IKA06N60T 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 10A 28W TO220-3

功能描述

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IGBT 600V 10A 28W TO220-3

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

354.49 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 23:00:00

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IKA06N60T规格书详情

IKA06N60T属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IKA06N60T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

• Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)

• Maximum Junction Temperature 175 °C

• Short circuit withstand time – 5µs

• Designed for :

- Variable Speed Drive for washing machines, air conditioners and induction cooking

- Uninterrupted Power Supply

• Trench and Fieldstop technology for 600 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- very high switching speed

- low VCE(sat)

• Low EMI

• Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IKA06N60TXKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    TrenchStop®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,6A

  • 开关能量:

    200µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    9.4ns/130ns

  • 测试条件:

    400V,6A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    PG-TO220-3-31

  • 描述:

    IGBT 600V 10A 28W TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-220
942
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INFINEON/英飞凌
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原装现货,欢迎询价
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